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本發(fā)明提供一種外延生長鍺硅應力層的預清洗方法，其包括：對多晶硅進行刻蝕；經光刻刻蝕在體硅內形成源漏區(qū)的溝槽；清洗溝槽的表面，并進行氧化工藝，在溝槽內生長一層氧化物薄膜；采用化學方法清潔溝槽表面，去除該氧化物薄膜，直至溝槽表面完全暴露出來；在...該專利屬于上海集成電路研發(fā)中心有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海集成電路研發(fā)中心有限公司授權不得商用。