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本發明提供一種硅納米線陣列的制備方法，包括：提供一個輕摻雜的硅襯底；依次外延生長一層第一摻雜濃度的硅層和一層第二摻雜濃度的硅層，并重復上述步驟2遍；光刻定義硅納米線以及硅納米線支撐區域的圖形；刻蝕所述單晶硅襯底上第一和第二摻雜濃度的硅層；經...該專利屬于上海集成電路研發中心有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海集成電路研發中心有限公司授權不得商用。
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本發明提供一種硅納米線陣列的制備方法，包括：提供一個輕摻雜的硅襯底；依次外延生長一層第一摻雜濃度的硅層和一層第二摻雜濃度的硅層，并重復上述步驟2遍；光刻定義硅納米線以及硅納米線支撐區域的圖形；刻蝕所述單晶硅襯底上第一和第二摻雜濃度的硅層；經...