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本發明公開了一種在Ⅲ-Ⅴ化合物半導體襯底制作超淺結的方法，包括：清洗具有外延層的單晶襯底；在該外延層用硫化銨或其他液體的表面鈍化，在該鈍化表面沉積介質作為阻擋層，以借助低溫退火工藝將硫或其他元素擴散到單晶襯底以形成超淺結；或者，在單晶襯底上...
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