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本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，包括：在半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)上形成接觸刻蝕終止層，半導(dǎo)體襯底上形成有包括金屬柵極的柵極疊層結(jié)構(gòu)，接觸刻蝕終止層可以包括第一氮化硅層、第一氮化硅層之下的氧化硅層以及氧化硅層之下的第二氮化硅層；以第一氮化硅...該專利屬于中芯國際集成電路制造（北京）有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中芯國際集成電路制造（北京）有限公司授權(quán)不得商用。