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本發明提供了一種多晶硅電阻器結構及其制造方法、多晶硅電阻器。在襯底上沉積第一多晶硅層；在第一多晶硅層上沉積氮化硅層，并對氮化硅層進行刻蝕以在氮化硅層中形成第一凹陷部和第二凹陷部，從而將氮化硅層分成三部分；在氮化硅層上沉積隔離物層以及第二多晶...該專利屬于上海宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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