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本發(fā)明涉及一種電子輻照下介質(zhì)材料表面電荷密度的測(cè)試方法，屬于測(cè)試領(lǐng)域。所述方法步驟包括靜電電容探頭的標(biāo)度，將介質(zhì)樣品材料放置在支撐架上表面，開(kāi)啟抽真空系統(tǒng)抽真空，開(kāi)啟電子槍模擬靜止地球軌道（GEO）電子環(huán)境，對(duì)介質(zhì)樣品材料進(jìn)行輻照；利用三維...該專(zhuān)利屬于中國(guó)航天科技集團(tuán)公司第五研究院第五一〇研究所所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)中國(guó)航天科技集團(tuán)公司第五研究院第五一〇研究所授權(quán)不得商用。