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本發(fā)明公開(kāi)了一種寄生效應(yīng)低、品質(zhì)因子高的改進(jìn)型開(kāi)關(guān)電容結(jié)構(gòu)。相對(duì)于由一個(gè)NMOS管和一個(gè)電容實(shí)現(xiàn)的傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)電容結(jié)構(gòu)，本開(kāi)關(guān)電容結(jié)構(gòu)主要進(jìn)行了如下改進(jìn)：將NMOS管的柵極電壓通過(guò)一個(gè)反相器和一個(gè)電阻連接到NMOS管的漏極，降低了開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟時(shí)的...該專(zhuān)利屬于長(zhǎng)沙景嘉微電子股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)長(zhǎng)沙景嘉微電子股份有限公司授權(quán)不得商用。