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本發明涉及一種片式氧化鋯傳感器的低溫共燒方法，所述方法包括：在氧化釔穩定氧化鋯中加入低熔點、具有離子導電性的玻璃粉，配制漿料；將漿料流延成型，切割，沖過孔、參比氣體通道、氣體室等；印刷Pt等貴金屬電極，疊層熱壓，并在1000℃～1200℃下...該專利屬于中國科學院上海硅酸鹽研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院上海硅酸鹽研究所授權不得商用。
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本發明涉及一種片式氧化鋯傳感器的低溫共燒方法，所述方法包括：在氧化釔穩定氧化鋯中加入低熔點、具有離子導電性的玻璃粉，配制漿料；將漿料流延成型，切割，沖過孔、參比氣體通道、氣體室等；印刷Pt等貴金屬電極，疊層熱壓，并在1000℃～1200℃下...