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本發明涉及非晶納米晶合金薄帶制造領域，特別涉及一種具有成分梯度的非晶合金帶材及其制造方法。該非晶合金帶材從表面向內部的0~200nm深度范圍內，成分梯度元素含量逐漸減少；其中，成分梯度元素為[B]、[C]、[N]、[Si]、[P]、[S]中...
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