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本發明提供一種基于BCB(苯并環丁烯)鍵合工藝的混合集成激光器及其制作方法,所述混合集成激光器包括具有硅襯底、埋氧層及硅波導結構的SOI基光波導芯片、BCB覆層、具有底接觸層、有源層、隧道結及頂接觸層的Ⅲ-Ⅴ族激光器外延層、貫穿所述Ⅲ-Ⅴ族...該專利屬于江蘇尚飛光電科技有限公司;中科院南通光電工程中心;中國科學院上海微系統與信息技術研究所所有,僅供學習研究參考,未經過江蘇尚飛光電科技有限公司;中科院南通光電工程中心;中國科學院上海微系統與信息技術研究所授權不得商用。