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本發明屬于微電子工藝技術領域，具體是一種以Ru-Al-O作為擴散、粘附阻擋層的銅互連結構以及制備方法。本發明以現有銅互連結構為基礎，采用Ru-Al-O代替傳統的TaN/Ta雙層結構，作為銅互連結構的新的銅擴散阻擋層。利用原子層淀積（ALD）...
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