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本發明公開了一種高溫生長晶片的卸載裝置及其卸載方式，實現汽相外延設備在生長工藝不間斷狀態下卸載高溫生長的晶片。本發明的生長腔側壁設有進料窗，生長腔下面設有下料腔，下料腔下面設有卸料腔，卸料腔側壁設有出料窗，卸料腔內設有可升降托盤的底部升降托...該專利屬于東莞市中鎵半導體科技有限公司;北京大學所有，僅供學習研究參考，未經過東莞市中鎵半導體科技有限公司;北京大學授權不得商用。
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