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一種用于制備陽極-短路的場闌絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的方法，包含選擇性地制備導電類型相反的第一和第二半導體植入區。第二導電類型的場闌層生長在襯底上方或植入到襯底中。外延層可以生長在襯底上或場闌層上。在外延層中，制備一個或多個絕緣柵雙極晶...
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