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本發明的目的在于提供一種肖特基二極管NiCr勢壘低溫合金的制造方法，所述制造方法的工藝流程為：場氧化、光刻P+、P+注入、P+推結、光刻引線孔、濺射NiCr、NiCr合金、扒NiCr、正面蒸發、金屬光刻、金屬腐蝕、背面減薄、背面蒸發，其特征...該專利屬于中國電子科技集團公司第四十七研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國電子科技集團公司第四十七研究所授權不得商用。
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本發明的目的在于提供一種肖特基二極管NiCr勢壘低溫合金的制造方法，所述制造方法的工藝流程為：場氧化、光刻P+、P+注入、P+推結、光刻引線孔、濺射NiCr、NiCr合金、扒NiCr、正面蒸發、金屬光刻、金屬腐蝕、背面減薄、背面蒸發，其特征...