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本發明公開了一種GaN襯底轉移石墨烯的退火工藝，采用高溫退火的方式，修復襯底轉移過程中產生的石墨烯缺陷，進一步去除轉移過程中沒能去除或是新引進的雜質。同時，高溫退火還可以使襯底與石墨烯接觸得到改善，接觸均勻性大大提高，為GaN襯底和石墨烯兩...
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