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一種介質(zhì)層的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成介質(zhì)層；對所述介質(zhì)層進(jìn)行第一次處理，增強(qiáng)介質(zhì)層表面硅氧鍵的結(jié)合力；刻蝕介質(zhì)層至露出半導(dǎo)體襯底，形成溝槽或通孔；在溝槽或通孔內(nèi)填充滿金屬層；對所述介質(zhì)層進(jìn)行第二次處理，降低介質(zhì)...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權(quán)不得商用。