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本發(fā)明公開了一種基于AlN襯底的石墨烯CVD直接外延生長(zhǎng)方法，采用III-V族化合物半導(dǎo)體AlN作為襯底，通過對(duì)AlN襯底進(jìn)行合理的預(yù)處理，調(diào)節(jié)生長(zhǎng)壓力，流量以及溫度，在AlN上面直接生長(zhǎng)石墨烯，無需金屬作為催化劑，生長(zhǎng)的石墨烯無需轉(zhuǎn)移過程...該專利屬于西安電子科技大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過西安電子科技大學(xué)授權(quán)不得商用。