溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。
本發(fā)明公開了一種基于GaN襯底的石墨烯CVD直接外延生長方法，采用III-V族化合物半導(dǎo)體GaN作為襯底，通過對GaN襯底進行合理的預(yù)處理，調(diào)節(jié)生長壓力，流量以及溫度，實現(xiàn)了石墨烯生長的最優(yōu)化，在GaN上面直接生長石墨烯，無需金屬作為催化劑...該專利屬于西安電子科技大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過西安電子科技大學(xué)授權(quán)不得商用。