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本發(fā)明公開一種p型GaN與AlGaN半導(dǎo)體材料的制備方法，包括襯底及由下往上生長在襯底上的緩沖層或過渡層、非故意摻雜層以及受主摻雜層；在該結(jié)構(gòu)的生長過程中，使用氨氣或二甲肼氮作為五族氮源；使用三甲基鎵或三乙基鎵作為三族鎵源，使用三甲基鋁或三...該專利屬于中山大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中山大學(xué)授權(quán)不得商用。