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本發(fā)明提供一種MOM電容的制造方法，其包括在晶圓基底上，沉積以High-K介質(zhì)作為材料的第一絕緣介質(zhì)層；通過(guò)光刻和刻蝕定義第一絕緣介質(zhì)層介質(zhì)圖形；在晶圓表面沉積以常規(guī)介質(zhì)或low-k介質(zhì)作為材料的第二絕緣介質(zhì)層；使用化學(xué)機(jī)械拋光研磨第二絕緣...該專利屬于上海集成電路研發(fā)中心有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)上海集成電路研發(fā)中心有限公司授權(quán)不得商用。