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本發明公開了一種光學臨近效應修正工藝模型的建模方法，包括步驟：測量半導體工藝層的光刻原始數據以及其線寬粗糙度；根據各關鍵尺寸的測量值的線寬粗糙度、半導體工藝層的設計規則處的基準線寬粗糙度以及半導體工藝層的設計規則處的基準權重值確定各關鍵尺寸...該專利屬于上海華虹NEC電子有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹NEC電子有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種光學臨近效應修正工藝模型的建模方法，包括步驟：測量半導體工藝層的光刻原始數據以及其線寬粗糙度；根據各關鍵尺寸的測量值的線寬粗糙度、半導體工藝層的設計規則處的基準線寬粗糙度以及半導體工藝層的設計規則處的基準權重值確定各關鍵尺寸...