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本發明的一個方面涉及一種用于制造非晶金屬氧化物半導體的方法。在實施例中，通過作為開始要素的混合溶液在基板上沉積膜。例如，所述混合溶液在溶劑中至少包括醇銦和醇鋅。通過在例如包括其端點值的210至275攝氏度的溫度范圍下在水蒸氣氣氛中的熱退火來...該專利屬于松下電器產業株式會社;劍橋企業有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過松下電器產業株式會社;劍橋企業有限公司授權不得商用。
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