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本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種制備頂層金屬互聯工藝刻蝕中間停止層的方法。本發明提出一種制備頂層金屬互聯工藝刻蝕中間停止層的方法，通過在原有的頂層金屬雙大馬士革工藝基礎上去掉了氮化硅薄膜層的淀積工藝，而引入了離子注入氮（N）或者其他元...
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