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本發明公開了一種應用雙色紅外材料制備探測器芯片的方法及系統，其制備工藝簡單。該方法包括：制備雙色紅外材料；然后進行臺面刻蝕處理和離子注入區刻蝕，在InSb襯底上注入Be離子，形成P-on-N二極管，在HgCdTe材料上注入B離子，形成N-o...
該專利屬于中國電子科技集團公司第十一研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國電子科技集團公司第十一研究所授權不得商用。

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