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本發明提供了一種用于負偏壓溫度不穩定性(NBTI)測試的附加電路及測試方法，其中，附加電路分別連接源-測量單元和待測PMOS；附加電路包括一個NMOS；NMOS的基極通過電阻R0與NMOS的源極電連接；NMOS的漏極通過電阻R1與待測的PM...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
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