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本發(fā)明公開一種簡單制備有序V形納米硅孔陣列的方法，包括：在硅襯底上沉積二氧化硅掩膜層，在其上制備周期性納米光刻膠點陣圖形，采用干法刻蝕技術(shù)將該光刻膠點陣圖形轉(zhuǎn)移至二氧化硅掩膜層，同時在刻蝕過后的硅層上留下可充當(dāng)刻蝕掩膜作用的氟碳基有機聚合物...該專利屬于中國科學(xué)院物理研究所所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中國科學(xué)院物理研究所授權(quán)不得商用。