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一種集成傳感器及其制造所述器件的方法，該器件包括在半導體襯底中的MOS電路，具有互連導體和絕緣電介質的互連級，所述級在襯底上并互連MOS電路，互連級包含具有嵌入互連電介質中的電極的傳感器，以及MOS電路包括用于處理來自傳感器電極的信號的處理...
該專利屬于硅實驗室公司所有，僅供學習研究參考，未經過硅實驗室公司授權不得商用。

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