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本實(shí)用新型提供了一種等離子體刻蝕設(shè)備，包括：腔體，腔體內(nèi)限定有反應(yīng)腔，腔體的底部的周邊具有與反應(yīng)腔連通的多個(gè)抽氣孔；用于向所述反應(yīng)腔提供反應(yīng)氣體的供氣系統(tǒng)，所述供氣系統(tǒng)包括氣體擴(kuò)散件，所述氣體擴(kuò)散件的底面相對于其中心軸線呈傾斜角度，且所述傾...該專利屬于北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司授權(quán)不得商用。