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為了通過PECVD沉積，在基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)上，于太陽能電池的p-i-n配置內(nèi)制造出非晶氫化硅的本征吸收體層，因此改進生產(chǎn)量同時維持吸收體層的質(zhì)量，已提出了特定的加工狀況，其中在用來沉積所提出的吸收體層的反應(yīng)器中，建立1毫巴至1.8毫巴間的壓力及硅烷...該專利屬于歐瑞康太陽能股份公司（特呂巴赫）所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過歐瑞康太陽能股份公司（特呂巴赫）授權(quán)不得商用。