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本發明提供可顯著地抑制α射線的發生，且能夠進行激光加工、與硅制部件的親和性高的、用于形成半導體器件貫通電極的玻璃基板。本發明涉及玻璃基板，其特征在于，其具有多個貫通孔，α計數為0.05c/cm2·h以下，包含40wt%以上的SiO2，且Li...
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