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本發明提供一種在偏離角度為1°~6°的碳化硅單晶基板上具有摻雜密度的面內均勻性優良的碳化硅外延膜的外延碳化硅單晶基板。外延膜通過使0.5μm以下的摻雜層和0.1μm以下的無摻雜層重復而生長。通過將材料氣體中的碳原子數相對于硅原子數的比（C/...
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