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本發(fā)明涉及新材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種垂直磁記錄材料的制備方法，得到的最終產(chǎn)品的c軸分散角<3°，各項性能得到顯著提高。首先選取MgO（111）單晶作為基板，將經(jīng)充分清潔后的MgO（111）基板放至磁控濺射設(shè)備的真空腔內(nèi)，然后向磁控濺射設(shè)備...該專利屬于東北大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過東北大學(xué)授權(quán)不得商用。