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本發明涉及一種射頻法制備SiO2薄膜的方法，屬于SiO2薄膜制備和應用領域。一種射頻法制備SiO2薄膜的方法，為射頻磁控濺射方法，包括射頻濺射的步驟，所述射頻磁控濺射步驟中采用下述工藝參數：射頻功率1.8KW，濺射時間10min。所得產品的...
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