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一種基于III族氮化物的發(fā)光二極管，包括基于p型III族氮化物的半導(dǎo)體層、與基于p型III族氮化物的半導(dǎo)體層形成P-N結(jié)的基于n型III族氮化物的半導(dǎo)體層、以及位于基于n型III族氮化物的半導(dǎo)體層上的基于III族氮化物的有源區(qū)域。有源區(qū)域包...該專利屬于克里公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)克里公司授權(quán)不得商用。