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本發明涉及一種脈沖激光沉積制備Co3O4薄膜電極材料的方法及其應用。在約30Pa的氧氣氣氛中利用脈沖激光燒蝕純度大于等于99.9%金屬鈷靶材，在Mo基片上濺射沉積制備Co3O4薄膜電極材料，基片溫度為250℃。此法制得的Co3O4薄膜電化學...
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