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本公開實施例提供一種半導體結構及其制造方法。所述半導體結構包括：堆疊設置的第一半導體層、第一介質層、第二介質層、第三介質層和第二半導體層，所述第一半導體層和所述第二半導體層之間通過所述第一介質層、所述第二介質層和所述第三介質層隔離開，所述第...該專利屬于湖北江城芯片中試服務有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過湖北江城芯片中試服務有限公司授權不得商用。
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