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本技術提供一種靜電放電二極管及電路結構，靜電放電二極管包括襯底、離子阱和柵極；離子阱位于襯底內，離子阱上具有間隔設置的第一注入區和所述第二注入區，且離子阱延伸至第一注入區和第二注入區之間的間隔；柵極位于第一注入區和第二注入區之間的間隔的離子...該專利屬于南寧初芯集成電路設計有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過南寧初芯集成電路設計有限公司授權不得商用。
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