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本申請公開了一種集成金剛石的包裹型GaN?HEMT及其制備方法，包括襯底、GaN層、勢壘層、金屬電極、介質層和金剛石散熱層；金屬電極由第一金屬區(qū)和第二金屬區(qū)組成，第一金屬區(qū)以外勢壘層與GaN層都被刻蝕掉，為電隔離區(qū)，暴露出GaN?HEMT側...該專利屬于中國電子科技集團公司第五十五研究所所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過中國電子科技集團公司第五十五研究所授權不得商用。