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本發明公開了一種IGBT器件的制造方法，包括步驟：在半導體襯底的正面完成正面工藝，在正面工藝中形成有IGBT器件的第一導電類型輕摻雜的漂移區；之后進行背面工藝，包括：對半導體襯底的背面進行減薄。進行第二導電類型的第一次背面離子注入在漂移區的...該專利屬于上海鼎陽通半導體科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海鼎陽通半導體科技有限公司授權不得商用。
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