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本發明涉及LED技術領域，具體涉及一種反極性850nm紅外發光LED芯片及其制作方法。所述芯片包括從下至上依次設置的背面電極、硅襯底、第一鍵合層、第二鍵合層、鏡面層、介質膜層、銀納米線電流擴展層、保護層、DBR反射層、功能層和環狀接觸電極，...該專利屬于南昌凱捷半導體科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過南昌凱捷半導體科技有限公司授權不得商用。
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本發明涉及LED技術領域，具體涉及一種反極性850nm紅外發光LED芯片及其制作方法。所述芯片包括從下至上依次設置的背面電極、硅襯底、第一鍵合層、第二鍵合層、鏡面層、介質膜層、銀納米線電流擴展層、保護層、DBR反射層、功能層和環狀接觸電極，...