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一種GaN增強(qiáng)型功率器件的雙向ESD保護(hù)方法、電路及雙柵器件。方法以雙控開(kāi)關(guān)構(gòu)成ESD能量泄放，器件正常正壓工作狀態(tài)時(shí)雙控開(kāi)關(guān)關(guān)斷，發(fā)生ESD時(shí)雙控開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，泄放能量；器件正常負(fù)壓工作狀態(tài)時(shí)雙控開(kāi)關(guān)關(guān)斷，當(dāng)發(fā)生ESD時(shí)，雙控開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，泄放能...該專(zhuān)利屬于東南大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)東南大學(xué)授權(quán)不得商用。