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本發明公開了一種改善Logic產品襯底外延后彎曲度和翹曲度工藝，其改善工藝包括以下步驟：S1、首先降低工藝腔體接取片溫度可以起到降低彎曲度及翹曲度的作用，由于外延設備僅工藝腔長期維持高溫環境，其他傳輸腔保持常溫，硅襯底進出工藝腔時會面臨溫度...該專利屬于中環領先半導體材料有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中環領先半導體材料有限公司授權不得商用。
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