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本發(fā)明涉及一種可見近紅外寬帶熱電子光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括由下自上依次設(shè)置的歐姆接觸電極、寬禁帶半導(dǎo)體襯底、納米孔陣列及肖特基接觸電極；肖特基接觸電極覆蓋在納米孔陣列上。本發(fā)明使用寬禁帶半導(dǎo)體與金屬的肖特基接觸，實(shí)現(xiàn)光子能量在肖特基...該專利屬于山東大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過山東大學(xué)授權(quán)不得商用。