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本申請公開了一種集成式硅基芯片及其制作方法、集成電路,集成式硅基芯片包括:硅襯底、基于硅的控制電路、砷化鎵外延結構、砷化鎵高電子遷移率晶體管和匹配電路;硅襯底被劃分為硅器件區域和砷化鎵器件區域;基于硅的控制電路,設置在硅襯底上,對應設置在硅...該專利屬于深圳市匯芯通信技術有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過深圳市匯芯通信技術有限公司授權不得商用。
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本申請公開了一種集成式硅基芯片及其制作方法、集成電路,集成式硅基芯片包括:硅襯底、基于硅的控制電路、砷化鎵外延結構、砷化鎵高電子遷移率晶體管和匹配電路;硅襯底被劃分為硅器件區域和砷化鎵器件區域;基于硅的控制電路,設置在硅襯底上,對應設置在硅...