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本發(fā)明提供一種MEMS器件及其制造方法，所述方法包括：提供基底，基底上形成有相對設(shè)置的復(fù)合振膜結(jié)構(gòu)和背極板，復(fù)合振膜結(jié)構(gòu)和背極板之間具有空腔，復(fù)合振膜結(jié)構(gòu)包括層疊的張應(yīng)力膜層和壓應(yīng)力膜層，張應(yīng)力膜層和壓應(yīng)力膜層中的一者為介質(zhì)層，另一者為導(dǎo)電...該專利屬于紹興中芯集成電路制造股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過紹興中芯集成電路制造股份有限公司授權(quán)不得商用。