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本申請提供一種提升銅填充能力的方法，包括：步驟S1，將晶圓置于電鍍作業的進入等待位置，準備進入電鍍液；步驟S2，將晶圓翻轉至與電鍍液面呈一定傾斜角度，采用高下降速度和旋轉速度的方式將晶圓送至電鍍液中的預定位置；步驟S3，通過電鍍作業生長銅主...該專利屬于華虹半導體（無錫）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過華虹半導體（無錫）有限公司授權不得商用。
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本申請提供一種提升銅填充能力的方法，包括：步驟S1，將晶圓置于電鍍作業的進入等待位置，準備進入電鍍液；步驟S2，將晶圓翻轉至與電鍍液面呈一定傾斜角度，采用高下降速度和旋轉速度的方式將晶圓送至電鍍液中的預定位置；步驟S3，通過電鍍作業生長銅主...