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本發明公開一種不可見光發光二極管和發光裝置，所述不可見光發光二極管包括半導體外延疊層，具有相對的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面包含依次堆疊的第一類型半導體層，有源層和第二類型半導體層；所述有源層包括依次堆疊的量子阱層和量子壘層，所...該專利屬于泉州三安半導體科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過泉州三安半導體科技有限公司授權不得商用。
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