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本發明提供一種硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅（ＳＯＮＯＳ）存儲器件及其制造方法。該ＳＯＮＯＳ存儲器件包括半導體襯底、淀積在半導體襯底上的絕緣層、形成在絕緣層的預定區域并且被分為源區、漏區和溝道區的有源層、形成在溝道區一側的第一側柵疊層和形成...
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