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本發明通過使用含Ｏ↓［２］氣體等離子體、具有至少一個乙烯基或乙炔基的有機硅或有機硅酸酯化合物，或飽和有機硅或有機硅酸酯化合物和不飽和烴的混合物進行化學氣相沉積制備了低介電常數的氫化硅－碳氧化物（ＳｉＣＯ：Ｈ）膜。...
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