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本發明提供一種用于生產摻雜有n型摻雜劑的硅單晶的方法和設備，該硅單晶具有圓柱形部分，在該圓柱形部分中電阻率不大于2毫歐姆厘米，該方法包括通過CZ法從包含在坩堝中的熔體提拉單晶。該方法還包括在提拉單晶的圓柱形部分的過程中，向熔體的表面提供氣流...
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